全球快资讯:三星开始量产当前业界最高容量密度的第八代V-NAND
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正如在2022年闪存峰会和2022年三星存储器技术日上所承诺的那样,三星电子今天宣布,它已经开始大规模生产具有业界最高比特密度的1Tb三层单元(TLC)第八代垂直NAND(V-NAND)。新的V-NAND颗粒的单位容量为1Tb,是迄今为止业内最高的存储容量,可在全球下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
三星电子闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hur说:"由于市场对密度更大、容量更大的存储的需求推动了更高的V-NAND层数,三星采用了先进的3D缩放技术来减少表面积和高度,同时避免了通常在缩小规模时出现的单元间干扰。我们的第八代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案,这将是未来存储创新的基础。"
三星通过大幅提高每片晶圆的比特生产率,实现了业界最高的容量密度。基于Toggle DDR 5.0接口这一最新的NAND闪存标准,三星第八代V-NAND的输入和输出(I/O)速度可高达2.4千兆比特/秒(Gbps),比上一代产品提高了1.2倍。这将使新的V-NAND能够满足PCIe 4.0以及后来的PCIe 5.0的性能要求。
第八代V-NAND有望成为存储配置的基石,帮助扩大下一代企业服务器的存储容量,同时将其应用扩展到对可靠性特别要求的汽车市场。
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